[发明专利]形成结晶片的设备及方法有效
| 申请号： | 201780068754.2 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109923246B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 彼德·L·凯勒曼;布莱恩·D·柯南;菲德梨克·M·卡尔森;孙大伟;大卫·莫雷尔 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成结晶片的设备及方法。所述设备可包括：结晶器，包括第一气体通道及第二气体通道，其中所述第一气体通道及所述第二气体通道穿过所述结晶器延伸到上游边缘与下游边缘之间的所述结晶器的下表面。所述第一气体通道可比所述第二气体通道更靠近所述下游边缘设置。第一气体源可耦合到所述第一气体通道，其中所述第一气体源包含氦气或氢气，且第二气体源可耦合到所述第二气体通道，其中所述第二气体源不含有氢气或氦气。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 结晶 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成结晶片的设备，其特征在于，包括：结晶器，包括第一气体通道及第二气体通道，其中所述第一气体通道及所述第二气体通道穿过所述结晶器延伸到上游边缘与下游边缘之间的所述结晶器的下表面，其中所述第一气体通道比所述第二气体通道更靠近所述下游边缘设置，其中第一气体源耦合到所述第一气体通道，所述第一气体源包含氦气或氢气，且其中第二气体源耦合到所述第二气体通道，所述第二气体源不含有氢气或氦气。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瓦里安半导体设备公司，未经瓦里安半导体设备公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780068754.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于外延生长单晶的具有无差别点的单晶钙钛矿固溶体
- 下一篇：单晶提拉装置
