[发明专利]用于基于碳的膜的自限制循环蚀刻方法有效
| 申请号： | 201780069183.4 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109922898B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 巴顿·G·莱恩;纳西姆·艾巴吉;阿洛科·兰詹;彼得·L·G·文泽克 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | B08B9/00 | 分类号： | B08B9/00;C23C16/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;顾晋伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容的实施方案描述了一种用于基于碳的膜的循环蚀刻方法。根据一个实施方案，该方法包括：提供包含基于碳的膜的基底；将基于碳的膜暴露于氧化等离子体，从而在基于碳的膜上形成氧化层；此后，将氧化层暴露于非氧化惰性气体等离子体，从而去除氧化层并在基于碳的膜上形成碳化表面层；以及重复暴露步骤至少一次。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 基于 限制 循环 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于蚀刻基于碳的膜的循环蚀刻方法，所述方法包括：提供包括所述基于碳的膜的基底；将所述基于碳的膜暴露于第一工艺气体，从而在所述基于碳的膜上形成活化层；将所述活化层暴露于包括等离子体的第二工艺气体，从而去除所述活化层并在所述基于碳的膜上形成碳化层，其中所述第二工艺气体是非活化惰性气体；以及重复所述基于碳的膜暴露于所述第一工艺气体和所述第二工艺气体至少一次。
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