[发明专利]利用具有随机配置空隙的纳米粒子层的增强型粘合在审
| 申请号： | 201780069263.X | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN109923651A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | B·S·库克 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/495;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在所描述实例中，通过沉积溶剂浆料的层(500a)来修改具有第一材料的衬底(201)的表面(201a)，所述溶剂浆料包括第二材料的纳米粒子(402)和第三材料的纳米粒子，所述第二材料的纳米粒子具有提供在比块状第二材料的熔点温度更低的温度下的熔点的大小，所述第三材料的纳米粒子具有至少与所述第二材料的所述纳米粒子大小一样大的大小和在比所述第二材料的所述熔点温度更高的温度下的熔点。所述第二材料的纳米粒子具有比所述第三材料的纳米粒子更高的重量百分比。在所述第二材料的所述熔点温度下将所述第二材料的所述纳米粒子(402)烧结在一起。通过去除所述第三材料的所述纳米粒子在具有第二材料的所述层中形成空隙(501)。所述空隙(501)具有随机分布和随机三维配置。 | ||
| 搜索关键词： | 第二材料 纳米粒子 熔点 纳米粒子层 重量百分比 沉积溶剂 第一材料 溶剂浆料 三维配置 随机分布 随机配置 烧结 增强型 粘合 衬底 浆料 去除 | ||
【主权项】：
1.一种装置，其包括：具有第一材料的衬底；具有第二材料的层，其中具有第二材料的所述层邻接在所述衬底的表面上，扩散区，其位于所述衬底的所述表面处，其中所述扩散区包括所述第二材料于所述第一材料中的混杂物；其中具有所述第二材料的所述层包含具有随机分布和随机三维配置的空隙；以及聚合化合物，位于具有第二材料的所述层上，其中所述聚合化合物填充具有所述第二材料的所述层中的所述空隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
