[发明专利]导电性膜和导电性膜的制造方法有效
申请号: | 201780070104.1 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN109937458B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 藤平惠;清水诚吾;山田俊辅;山木繁;基里达·古纳努鲁克萨蓬 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00;B05D7/24;B05D5/12;B32B27/18 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 袁波;刘继富 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明提供一种导电性膜,具有:高分子膜、形成在高分子膜的至少一面的基底树脂层、以及,包含平均直径为1~100nm且长宽比的平均为100~2000的金属纳米线、和粘结剂树脂且形成在基底树脂层之上的导电层。导电层的表面电阻值为1.0×10 |
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搜索关键词: | 导电性 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种导电性膜,其具有:高分子膜;基底树脂层,其形成在所述高分子膜的至少一面;以及导电层,其形成在所述基底树脂层之上,包含平均直径为1~100nm且长宽比的平均为100~2000的金属纳米线和粘结剂树脂,所述导电层的表面电阻值为1.0×102~1.0×106Ω/□且所述表面电阻值的偏差为15%以下。
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