[发明专利]并联反向导通IGBT和宽带隙开关的切换有效
| 申请号： | 201780070375.7 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109983697B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | U.韦姆拉帕蒂;U.施拉普巴赫;M.拉希莫 | 申请（专利权）人： | 日立能源瑞士股份公司 |
| 主分类号： | H03K17/12 | 分类号： | H03K17/12;H03K17/567;H03K17/16 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 王菲;张涛 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体模块包括与宽带隙MOSFET并联连接的反向导通IGBT，其中，反向导通IGBT和宽带隙MOSFET中的每个包括内部反并联二极管。一种用于操作半导体模块的方法，包括：确定反向导通开始时间，在反向导通开始时间半导体模块开始在相反方向上导通电流，相反方向是内部反并联二极管的导通方向；在反向导通开始时间之后将正栅极信号施加到宽带隙MOSFET；基于反向导通开始时间确定反向导通结束时间，在反向导通结束时间半导体模块结束在相反方向上导通电流；以及在反向导通结束时间之前的消隐时间间隔，将减小的栅极信号施加到宽带隙MOSFET，减小的栅极信号适合于将宽带隙MOSFET切换成阻塞状态。 | ||
| 搜索关键词： | 并联 向导 igbt 宽带 开关 切换 | ||
【主权项】：
1.一种用于操作半导体模块（56）的方法，所述半导体模块（56）具有与宽带隙MOSFET（32）并联连接的反向导通IGBT（10、10'），其中，所述反向导通IGBT（10、10'）和所述宽带隙MOSFET（32）中的每个包括内部反并联二极管（30、48），所述方法包括以下步骤：确定反向导通开始时间（tS），在所述反向导通开始时间（tS）所述半导体模块（56）开始在相反方向上导通电流（IR），所述相反方向是所述内部反并联二极管（30、48）的导通方向；在所述反向导通开始时间（tS）之后将正栅极信号（VGS）施加到所述宽带隙MOSFET（32）；基于所述反向导通开始时间（tS）确定反向导通结束时间（tE），在所述反向导通结束时间（tE）所述半导体模块（56）结束在所述相反方向上导通电流（IR）；在所述反向导通结束时间（tE）之前的消隐时间间隔（tb），将减小的栅极信号（VGS）施加到所述宽带隙MOSFET（32），所述减小的栅极信号（VGS）适合于将所述宽带隙MOSFET（32）切换成阻塞状态。
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