[发明专利]半色调掩模、光掩模坯和半色调掩模的制造方法有效
申请号: | 201780070660.9 | 申请日: | 2017-12-25 |
公开(公告)号: | CN109983402B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 山田慎吾;森山久美子;美作昌宏 | 申请(专利权)人: | 株式会社SK电子 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F7/40 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种能够曝光细微光致抗蚀剂图案的多灰阶半色调掩模。其解决方法在于,在透明基板上形成有由半透膜的图案构成的半透过部和由相位偏移膜的图案构成的相位偏移部,相位偏移膜使曝光光的相位反转,相位偏移膜的透过率低于半透膜的透过率。并且,在半透过部与相位偏移部邻接的边界部,形成有半透膜、相位偏移膜和蚀刻阻挡膜的叠层膜,蚀刻阻挡膜由不被半透膜和相位偏移膜的蚀刻液蚀刻的材质构成。其结果,实现具有半色调的效果和相位偏移效果双方的光掩模。 | ||
搜索关键词: | 色调 光掩模坯 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模,其特征在于:在透明基板上具有半透过部、相位偏移部、边界部和透光部,所述透光部包括所述透明基板露出的部分,所述半透过部由设置在所述透明基板上的半透膜形成,所述相位偏移部由设置在所述透明基板上的相位偏移膜形成,所述边界部由所述半透过部与所述相位偏移部邻接的区域形成,所述边界部的宽度在一定宽度以下,所述边界部由依次形成有所述相位偏移膜、蚀刻阻挡膜、所述半透膜的叠层构造膜形成,并且,除所述边界部以外的所述半透过部、所述相位偏移部和所述透光部的所述蚀刻阻挡膜被去除,所述边界部的宽度为使用所述光掩模的投影曝光装置的分辨率极限以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社SK电子,未经株式会社SK电子许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780070660.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备