[发明专利]半色调掩模、光掩模坯和半色调掩模的制造方法有效
申请号: | 201780070662.8 | 申请日: | 2017-12-25 |
公开(公告)号: | CN110023836B | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 美作昌宏 | 申请(专利权)人: | 株式会社SK电子 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/14;G03F1/32;G03F7/40 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的课题在于提供一种能够兼顾图案细微化和多灰阶的半色调掩模。其解决手段在于在透明基板上具有:包括第一半透膜的第一半透过区域;包括上述第一半透膜与第二半透膜的叠层的第二半透过区域;透明区域;以及第一半透过区域与第二半透过区域邻接的区域,上述第一和第二半透过区域对曝光光的透过率分别为10~70[%]和1~8[%],第二半透过区域使曝光光的相位反转。其结果,在邻接的第一半透过区域与第二半透过区域的边界部分,曝光光的强度分布陡峭地变化,能够改善经曝光后的光致抗蚀剂图案的剖面形状。 | ||
搜索关键词: | 色调 光掩模坯 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模,其特征在于:在透明基板上具有:包括第一半透膜的第一半透过区域;叠层有所述第一半透膜和第二半透膜的第二半透过区域;所述第一半透膜和所述第二半透膜均不存在的透明区域;和所述第一半透过区域和所述第二半透过区域邻接的区域,所述第一半透过区域对于曝光光的透过率为10~70[%],所述第二半透过区域对于曝光光的透过率为1~8[%],并且,反转曝光光的相位,其中,将所述第一半透膜的相位偏移角设为α[度]、将所述第二半透膜的相位偏移角设为β[度]时,所述第一半透膜和所述第二半透膜的叠层膜满足180-α≤β≤180的关系。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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