[发明专利]摄像元件、层叠型摄像元件和固态摄像装置有效
申请号: | 201780070841.1 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN109983579B | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 古川明;安藤良洋;富樫秀晃;古闲史彦 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/30;H01L51/44;H01L51/42 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 瓮芳;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 提供了一种包括通过层叠第一电极、光电转换层和第二电极而形成的光电转换单元的摄像元件。所述光电转换单元还包括电荷存储电极,所述电荷存储电极被设置成与所述第一电极间隔开并且被设置成经由绝缘层面对所述光电转换层。所述光电转换单元由N个光电转换单元段形成,并且这同样适用于所述光电转换层、所述绝缘层和所述电荷存储电极。第n个光电转换单元段由第n个电荷存储电极段、第n个绝缘层段和第n个光电转换层段形成。随着n增大,所述第n个光电转换单元段离所述第一电极越远。所述绝缘层段的厚度从第一个光电转换单元段到第N个光电转换单元段逐渐变化。 | ||
搜索关键词: | 摄像 元件 层叠 固态 装置 | ||
【主权项】:
1.摄像元件,其包括光电转换单元,所述光电转换单元包括:第一电极,光电转换层,第二电极,绝缘层,所述绝缘层包括N个绝缘层段,其中N大于或等于2,以及电荷存储电极,所述电荷存储电极与所述第一电极间隔开,并且所述电荷存储电极被设置成使得所述绝缘层位于所述电荷存储电极和所述光电转换层之间,其中,所述光电转换单元包括N个光电转换单元段,第n(其中n=1,2,3...,N)个光电转换单元段包括所述电荷存储电极、第n个绝缘层段和所述光电转换层,随着n值增大,所述第n个光电转换单元段离所述第一电极越远,并且第一个光电转换单元段中的所述绝缘层段的厚度不同于第N个光电转换单元段中的所述绝缘层段的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的