[发明专利]光刻限定的通孔中的可扩展嵌入式硅桥通孔柱及其制造方法在审
| 申请号： | 201780071671.9 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109952640A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | A.A.埃尔舍比尼;H.布劳尼施;J.索托冈萨莱斯;S.M.利夫 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/485;H01L23/48;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 包括高互连通孔柱的嵌入式硅桥系统是封装器件中的系统的部分。高通孔柱可以跨越Z高度距离到来自键合焊盘的随后的键合焊盘，该键合焊盘是容纳嵌入式硅桥的有机衬底的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 键合焊盘 嵌入式 硅桥 封装器件 高度距离 互连通孔 有机衬底 可扩展 通孔柱 高通 光刻 孔柱 通孔 容纳 制造 | ||
【主权项】：
1.一种封装中的半导体器件，包括：有机衬底，其中有机衬底包括：第一键合焊盘；在第一键合焊盘上方和在第一键合焊盘上的第一通孔，其中第一通孔从第一键合焊盘垂直延伸；以及在第一通孔上方并与第一通孔电连接的随后的键合焊盘；具有开口的阻焊层，其中一个开口暴露随后的键合焊盘；以及嵌入有机衬底中的半导体桥，其中半导体桥包括通孔柱，所述通孔柱在与第一通孔相同的垂直方向上从硅桥垂直延伸，并且其中通孔柱垂直延伸到至少第一通孔。
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