[发明专利]非对称栅控鳍式场效应晶体管(FET)(finFET)二极管在审
| 申请号： | 201780072087.5 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110036487A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 王昊;杨海宁;陈小楠 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;傅远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种非对称栅控鳍式场效应晶体管(FET)(finFET)二极管。在一个方面，非对称栅控finFET二极管采用包括第一类型的阱区和沿着一方向被设置的鳍部的衬底。采用包括被设置在鳍部中的第一类型掺杂材料并且在该方向上具有第一长度的第一源极/漏极区域。采用包括被设置在鳍部中的第二类型掺杂材料并且在该方向上具有大于第一长度的第二长度的第二源极/漏极区域。栅极区域被设置在第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间，并且在该方向上具有大于第一长度并且大于第二长度的第三长度。较宽的栅极区域增加了非对称栅控finFET二极管的耗尽区的长度，这减少了电流泄漏，同时避免了面积的增加。 | ||
| 搜索关键词： | 源极/漏极区域 二极管 非对称栅 鳍部 鳍式场效应晶体管 掺杂材料 栅极区域 电流泄漏 耗尽区 衬底 阱区 | ||
【主权项】：
1.一种非对称栅控鳍式场效应晶体管(FET)(finFET)二极管，包括：衬底，包括：第一类型阱区；以及沿着一方向被设置的鳍部；第一源极/漏极区域，在所述方向上具有第一长度，其中所述第一源极/漏极区域包括被设置在所述鳍部中的第一类型掺杂材料；第二源极/漏极区域，在所述方向上具有第二长度，所述第二长度大于所述第一长度，其中所述第二源极/漏极区域包括被设置在所述鳍部中的第二类型掺杂材料；以及栅极区域，被设置在所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域之间并且在所述方向上具有第三长度，所述第三长度大于所述第一长度并且大于所述第二长度。
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