[发明专利]一种石墨烯晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201780072495.0 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110100303B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 梁晨;吴燕庆;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 冯艳莲 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种石墨烯晶体管的制备方法，以简化制备石墨烯晶体管的工艺过程。方法包括：在衬底上覆盖石墨烯层形成第一样品；在第一样品中的石墨烯层上制备源极电极和漏极电极，形成第二样品；在第二样品上沉积第一栅介质，形成第三样品，第一栅介质覆盖源极电极、漏极电极和石墨烯层；对第三样品进行自对准刻蚀，形成第四样品，第四样品包含衬底、源极电极、漏极电极、沟道区域以及第二栅介质，沟道区域为石墨烯层经过自对准刻蚀后形成的用于连接源极电极和漏极电极的导电区域，第二栅介质为第一栅介质经过自对准刻蚀后形成的覆盖源极电极、漏极电极和沟道区域的栅介质；在第四样品中的第二栅介质上制备栅极电极，形成石墨烯晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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