[发明专利]半导体元件和包括该半导体元件的半导体元件封装有效
申请号: | 201780072882.4 | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN109997234B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 成演准;李容京;金珉成;朴修益 | 申请(专利权)人: | 苏州立琻半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/36;H01L33/48 |
代理公司: | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人: | 滕锦林 |
地址: | 215499 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 实施例公开了一种半导体元件,包括:第一导电半导体层;第二导电半导体层;有源层,设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间;以及电子阻挡层,设置在第二导电半导体层和有源层之间,其中,第一导电半导体层的截面沿第一方向减小,电子阻挡层具有其截面在第一方向上增加的区域,从第一导电半导体层到第二导电半导体层限定第一方向。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 包括 封装 | ||
【主权项】:
1.半导体元件,包括:第一导电半导体层;第二导电半导体层;有源层,设置在所述第一导电半导体层和第二导电半导体层之间;以及电子阻挡层,设置在所述第二导电半导体层和有源层之间,其中,所述第一导电半导体层具有在第一方向上减小的横截面积,所述电子阻挡层具有在第一方向上增加的横截面积,并且所述第一方向是从第一导电半导体层朝向第二导电半导体层的方向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州立琻半导体有限公司,未经苏州立琻半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780072882.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。