[发明专利]带有浮置场环终端的功率半导体器件

摘要

在本发明的功率半导体器件（1）中，在终端区（TR）中形成的浮置场环（10_1到10_n）的总数n是至少为10。对于在从i=2到i=n的范围中的任何整数i，在沿从主pn结（11）开始并且在离开主pn结（11）的横向中延伸的直线对浮置场环（10_1到10_n）计数时，在第i个浮置场环和直接相邻的第（i‑1）个浮置场环之间的环到环分离di,i‑1通过以下方程式(I)给出：方程式(I)，对于i=2到n，其中d1,0是在离主pn结（11）最近的最内浮置场环（10_1）和主pn结（11）之间的距离，以及其中：Δ区段1­‑0.05·Δ区段2ΔjΔ区段1+0.05·Δ区段2对于j=1到l‑2，2·Δ区段2|Δj|10·Δ区段2对于j=l‑1，0,95·Δ区段2Δj1,05·Δ区段2对于j=l到n‑1，Δ区段20.1µm，以及‑ΔΔ区段2/2Δ区段1Δ区段2/2，其中l是整数，对于其。(I)

主权项

1.一种功率半导体器件，包括：晶片（W），所述晶片（W）具有有源区（AR）和横向包围所述有源区（AR）的终端区（TR），其中主pn结（11）在所述有源区（AR）中被形成，以及在所述终端区（TR）中形成的多个浮置场环，每个浮置场环横向包围所述有源区（AR），其中在所述终端区（TR）中形成的浮置场环的总数为n，其特征在于，对于在从i=2到i=n的范围中的任何整数i，在沿从所述主pn结（11）开始并且在离开所述主pn结（11）的横向中延伸的直线对浮置场环（10_1到10_n）计数时，在第i个浮置场环（10_i）和直接相邻的第（i‑1）个浮置场环（10_i‑1）之间的距离d_i,i‑1通过以下方程式给出： 对于i=2到n，其中d_1,0是在与所述主pn结（11）直接相邻的最内浮置场环（10_1）和所述主pn结（11）之间的距离，以及其中：Δ_区段1‑0.05·Δ_区段2<Δ_j<Δ_区段1+0.05·Δ_区段2 对于j=1到l‑2，|Δ_j|<10·Δ_区段2 对于j=l‑10,95·Δ_区段2<Δ_j<1,05·Δ_区段2 对于j=l到n‑1，Δ_区段2>0.1µm，‑Δ_区段2/2<Δ_区段1<Δ_区段2/2，以及其中j和l是整数，并且，其特征在于n至少为10，并且2·Δ_区段2<|Δ_j| 对于j=l‑1。