[发明专利]用于射频应用的主辅场效应晶体管配置在审
| 申请号： | 201780072983.1 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110199479A | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 王海玲;D.C.巴特尔;H.傅;J.F.梅森;D.S.怀特菲尔德;P.T.迪卡洛 | 申请（专利权）人： | 天工方案公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/693;H04B1/44 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 于小宁 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文公开了实施主辅分支设计的切换或其它有源FET配置。这种设计包含至少两个FET：提供辅路径的辅FET和提供主路径的主FET。可以通过在辅路径中生成的失真，来减小在主路径中生成的失真，诸如三阶谐波和/或互调失真。这可以通过以下来实现：向辅路径施加定制的栅极偏置，使得辅路径生成具有相对于主路径中的信号的失真幅度相似但相位相反的失真的信号。因此，通过减小这些失真或非线性度，有源FET的整体性能得到改进。 | ||
| 搜索关键词： | 主路径 失真 减小 主辅 场效应晶体管 非线性度 互调失真 路径生成 三阶谐波 射频应用 失真幅度 相位相反 栅极偏置 配置 施加 改进 | ||
【主权项】：
1.一种用于执行切换功能的电路组件，所述电路组件包括：包含与辅路径并联的主路径的分支；连接到所述主路径的第一栅极偏置网络；以及连接到所述辅路径的第二栅极偏置网络，所述第二栅极偏置网络被配置为改进切换功能的线性度。
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