[发明专利]控制相关电子材料中的掺杂物浓度在审
| 申请号： | 201780073490.X | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN110024152A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 卢西恩·斯弗恩;金柏莉·盖伊·里德;格雷戈里·芒森·耶里克 | 申请（专利权）人： | ARM有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 林强 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本技术一般涉及相关电子材料(CEM)器件(300)的制造。在实施例中，在形成一个或多个CEM迹线(330，331)之后，沉积间隔物以与一个或多个CEM迹线接触。间隔物用于通过补充在随后的工艺期间可能损失的掺杂物和/或通过形成密封件以减少来自一个或多个CEM迹线的掺杂物的进一步损失来控制一个或多个CEM迹线内的掺杂物的原子浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂物 迹线 电子材料 间隔物 密封件 沉积 补充 制造 | ||
【主权项】：
1.一种构造器件的方法，包括：在第一层级上形成多条相关电子材料(CEM)迹线，所述多条CEM迹线包括原子浓度在0.1％至10.0％范围内的掺杂物；以及形成间隔物以填充分隔所述多条CEM迹线中的相邻CEM迹线的沟槽的至少一部分，所述间隔物控制所述多条CEM迹线中的至少一条CEM迹线内的所述掺杂物的原子浓度在所述0.1％至10.0％范围内。
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