[发明专利]半导体衬底在审
| 申请号： | 201780073938.8 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110024083A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 山本大贵;长田刚规 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/34;C23C16/42;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供半导体衬底，其具有硅衬底、反应抑制层、应力产生层及活性层，硅衬底、反应抑制层、应力产生层及活性层的位置以硅衬底、反应抑制层、应力产生层、活性层的顺序配置，其中，反应抑制层为抑制硅原子与III族原子的反应的氮化物晶体层，应力产生层为产生压缩应力的氮化物晶体层，活性层为电子元件得以形成的氮化物晶体层，在硅衬底与反应抑制层之间，还具有以硅原子、铝原子及氮原子作为主构成原子的SiAlN层。 | ||
| 搜索关键词： | 反应抑制层 应力产生层 硅衬底 活性层 氮化物晶体层 硅原子 半导体 衬底提供 顺序配置 压缩应力 氮原子 铝原子 衬底 | ||
【主权项】：
1.半导体衬底，其具有硅衬底、反应抑制层、应力产生层及活性层，所述硅衬底、所述反应抑制层、所述应力产生层及所述活性层的位置以所述硅衬底、所述反应抑制层、所述应力产生层、所述活性层的顺序配置，其中，所述反应抑制层为抑制硅原子与III族原子的反应的氮化物晶体层，所述应力产生层为产生压缩应力的氮化物晶体层，所述活性层为电子元件得以形成的氮化物晶体层，在所述硅衬底与所述反应抑制层之间，还具有以硅原子、铝原子及氮原子作为主构成原子的SiAlN层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
