[发明专利]R－T－B系烧结磁体及其制造方法有效
| 申请号： | 201780074435.2 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110024064B | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 野泽宣介;重本恭孝;西内武司 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;B22F3/00;B22F3/10;B22F3/24;C21D9/00;C22C28/00;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;程采 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的R－T－B系烧结磁体在实施方式中具有R：27mass％以上37mass％以下(R为稀土元素中的至少一种，必须含有Nd和Pr中的至少一方)、B：0.75mass％以上0.97mass％以下、Ga：0.1mass％以上1.0mass％以下、Cu：0mass％以上1.0mass％以下、T：61.03mass％以上(T为选自Fe、Co、Al、Mn和Si中的至少一种，必须含有Fe，Fe的含量相对于T整体为80mass％以上)的组成。T相对于B的摩尔比([T]/[B])超过14.0。磁体表面部的R量比磁体中央部的R量多，磁体表面部的Ga量比磁体中央部的Ga量多。磁体表面部的T相对于B的摩尔比([T]/[B])比磁体中央部的T相对于B的摩尔比([T]/[B])高。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种R－T－B系烧结磁体，其特征在于，含有：R：28mass％以上36mass％以下，其中，R为稀土元素中的至少一种，必须含有Nd和Pr中的至少一方，B：0.73mass％以上0.96mass％以下，Ga：0.1mass％以上1.0mass％以下，Cu：0.1mass％以上1.0mass％以下，T：60mass％以上，其中，T为选自Fe、Co、Al、Mn和Si中的至少一种，必须含有Fe，Fe的含量相对于T整体为80mass％以上；T相对于B的摩尔比([T]/[B])超过14.0，垂直于取向方向的截面上的磁体表面部的R量比磁体中央部的R量多，垂直于取向方向的截面上的磁体表面部的Ga量比磁体中央部的Ga量多，垂直于取向方向的截面上的磁体表面部的T相对于B的摩尔比([T]/[B])比磁体中央部的T相对于B的摩尔比([T]/[B])高。
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