[发明专利]采用电耦合到金属分流器的电压轨以减少或避免电压降的增加的标准单元电路在审
申请号: | 201780075113.X | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN110036478A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | J·J·朱;J·J·徐;M·巴达洛格鲁 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/528;H01L27/118 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了采用电耦合到金属分流器的电压轨以减少或避免电压降的增加的标准单元电路。在一个方面,提供了一种标准单元电路,该标准单元电路采用包括以栅极间距设置的相应栅极的有源器件。具有线宽的第一电压轨和第二电压轨设置在第一金属层中。与传统标准单元电路相比,采用具有基本上相同线宽的第一电压轨和第二电压轨降低了标准单元电路的高度。金属线设置在第二金属层中,其中金属间距小于栅极间距,使得金属线的数目超过栅极的数目。将第一电压轨和第二电压轨电耦合到金属分流器增加了每个电压轨的导电面积,这减小了每个电压轨两端的电压降。 | ||
搜索关键词: | 电压轨 标准单元 电路 金属分流器 电压降 电耦合 线宽 第二金属层 第一金属层 金属线设置 传统标准 单元电路 间距设置 金属线 源器件 导电 减小 金属 | ||
【主权项】:
1.一种标准单元电路,包括:多个有源器件,包括以栅极间距设置的多个相应栅极;具有线宽的第一电压轨,被设置在第一金属层中,并且对应于第一半轨道,其中所述第一电压轨被配置为接收第一电压;具有所述线宽的第二电压轨,被设置在所述第一金属层中,并且对应于第二半轨道,其中所述第二电压轨被配置为接收第二电压;多个金属线,以小于所述栅极间距的金属间距设置在第二金属层中,其中所述多个金属线中的一个或多个金属线电耦合到所述多个栅极中的一个或多个栅极;第一金属分流器,被设置在第三金属层中,并且电耦合到所述第一电压轨、以及所述多个金属线中的未被电耦合到所述一个或多个栅极的一个或多个金属线;以及第二金属分流器,被设置在所述第三金属层中,并且电耦合到所述第二电压轨、以及所述多个金属线中未被电耦合到所述一个或多个栅极的一个或多个金属线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的