[发明专利]时间性原子层沉积处理腔室有效
| 申请号： | 201780075506.0 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN110050333B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·S·波利亚克;约瑟夫·尤多夫斯基 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种双通道喷头，包括：第一多个通道，在所述喷头的背表面中形成且从第一端延伸到第二端；第二多个通道，穿过所述喷头的厚度形成且从第一端延伸到第二端；第一端充气部，在所述第一端处与所述第二多个通道流体连接；以及第二端充气部，在所述第二端处与所述第二多个通道流体连接。亦论述了包括所述双通道喷头及阻挡环的处理腔室，所述阻挡环将边缘环与泵送环分离。 | ||
| 搜索关键词： | 时间性 原子 沉积 处理 | ||
【主权项】：
1.一种双通道喷头，包括：背表面及前表面，限定所述喷头的厚度；第一多个通道，在所述喷头的所述背表面中形成，所述第一多个通道从第一端延伸到第二端；第二多个通道，穿过所述喷头的所述厚度形成，所述第二多个通道从第一端延伸到第二端；第一端充气部，在所述背表面中形成且在所述第一端处与所述第二多个通道形成流体连接；以及第二端充气部，在所述背表面中形成且在所述第二端处与所述第二多个通道形成流体连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
