[发明专利]热原子层蚀刻工艺

摘要

本发明公开了热原子层蚀刻工艺。在一些实施例中，该方法包括至少一个蚀刻循环，其中所述基材交替且序贯地暴露于第一气相卤化物反应物和第二气相卤化物反应物。在一些实施例中，第一反应物可包含有机卤化物化合物。在热ALE循环期间，基材不与等离子体反应物接触。

主权项

1.一种通过化学原子层蚀刻在反应室中的基材的表面上蚀刻膜的方法，所述方法包括一个或多个蚀刻循环，每个循环包括：将所述基材暴露于包含第一卤化物配体的第一气相卤化物反应物，以在所述基材表面上形成被吸附物种，其中所述第一气相卤化物反应物不包含氢；和随后将所述基材暴露于包含第二卤化物配体的第二气相卤化物反应物，所述第二气相卤化物反应物将所述被吸附物种转换成挥发性物种，使得至少一些材料从所述膜中去除，其中所述第二气相卤化物反应物不包含氢；和其中所述基材在所述蚀刻循环期间不与等离子体反应物接触。