[发明专利]闪烁器阵列、制造闪烁器阵列的方法、放射线检测器及放射线检查装置在审

专利信息
申请号: 201780075691.3 申请日: 2017-12-05
公开(公告)号: CN110050311A 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 林诚;近藤弘康;市川浩;足达祥卓;福田幸洋 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝高新材料公司
主分类号: G21K4/00 分类号: G21K4/00;A61B6/03;G01T1/20
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 白丽
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种闪烁器阵列,其具备第1闪烁器元件、第2闪烁器元件和反射体,该反射体设置于第1及第2闪烁器元件之间且第1及第2闪烁器元件之间的宽度为80μm以下。第1及第2闪烁器元件分别具备含有稀土类氧硫化物荧光体的多晶体,多晶体具有面积为1mm以下×1mm以下的放射线入射面。多晶体的晶粒的平均晶体粒径为5μm~30μm,平均晶体粒径由在通过使用扫描型电子显微镜观察多晶体而得到的观察图像上测定的晶粒的平均切片长来定义。存在于多晶体的表面中的缺陷的最大长度或最大直径为40μm以下。
搜索关键词: 多晶体 闪烁器 闪烁器阵列 晶粒 晶体粒径 反射体 电子显微镜观察 放射线检查装置 放射线检测器 放射线入射面 观察图像 氧硫化物 扫描型 荧光体 切片 稀土 制造
【主权项】:
1.一种闪烁器阵列,其具备:第1闪烁器元件;第2闪烁器元件;和反射体,该反射体设置于所述第1及第2闪烁器元件之间,所述第1及第2闪烁器元件之间的宽度为80μm以下,所述第1及第2闪烁器元件分别具备含有稀土类氧硫化物荧光体的多晶体,所述多晶体具有面积为1mm以下×1mm以下的放射线入射面,所述多晶体的晶粒的平均晶体粒径为5μm~30μm,所述平均晶体粒径由在通过使用扫描型电子显微镜观察所述多晶体而得到的观察图像上测定的晶粒的平均切片长来定义,存在于所述多晶体的表面中的缺陷的最大长度或最大直径为40μm以下。
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