[发明专利]甲硅烷基桥联烷基化合物用于致密OSG膜的用途

摘要

本文公开了在用作集成电路中的层间电介质时确认改善的性能的低介电材料和包含其的膜，以及其制造方法。

主权项

1.一种用于在衬底的至少一部分上沉积有机硅酸盐膜的化学气相沉积方法，所述方法包括以下步骤：在真空室内提供衬底；向所述真空室中引入气态结构形成组合物，所述组合物包含至少一种选自式(I)和式(II)的有机硅前体：其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅和R₆各自独立地选自‑CH₃和‑OR₈，其中R₈是C₁‑C₄烷基；R₇为H或‑CH₃；x为1或2；和n为1、2、3或4，其中当n为1时，至少一个R₇为‑CH₃；将能量施加至所述真空室中的所述气态结构形成组合物以引发所述至少一种有机硅前体的反应从而在所述衬底的至少一部分上沉积膜。