[发明专利]晶锭生长控制装置及其控制方法在审
| 申请号： | 201780076064.1 | 申请日： | 2017-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110050090A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 朴玹雨;金世勋 | 申请（专利权）人： | 爱思开矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B15/10;H01L21/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 徐川;姚开丽 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及晶锭生长控制装置及其控制方法，所述晶锭生长控制装置及其控制方法能够在晶锭生长过程中快速准确地控制晶锭的直径并提高晶锭的质量。根据本发明的晶锭生长控制装置及其控制方法的特征在于，当输入单元提供通过过滤晶锭的直径测量值而获得的直径数据时，直径控制器通过反映直径数据控来制所述晶锭的提拉速度，并且同时，温度控制器通过反映直径数据来控制加热器的功率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶锭 生长控制 直径数据 控制加热器 温度控制器 直径控制器 生长过程 输入单元 直径测量 提拉 过滤 | ||
【主权项】：
1.一种晶锭生长控制装置，用于将容纳在熔炉中的原料加热到熔融态并且将晶锭从容纳在所述熔炉中的熔体生长到目标直径，所述晶锭生长控制装置包括：输入单元，用于输入在所述熔炉中生长的晶锭的直径数据；直径控制器，用于在考虑到先前输入的目标提拉速度(T_P/S)的情况下控制所述晶锭的提拉速度(P/S)，以减小由所述输入单元提供的直径数据与先前输入的目标直径(T_Dia)之间的误差；以及温度控制器，用于在考虑到先前输入的目标温度(T_temp)的情况下控制加热器功率，以减小由所述输入单元提供的所述直径数据与所述先前输入的目标直径(T_Dia)之间的所述误差。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开矽得荣株式会社，未经爱思开矽得荣株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780076064.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电解池或具有气体扩散电极的电极板及其运行方法
- 下一篇：碳化硅单晶的制造方法
