[发明专利]具覆盖层间边界线的沉积层的半导体制造用部件有效
| 申请号： | 201780076242.0 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN110050327B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 李相喆 | 申请（专利权）人： | 韩国东海碳素株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H05H1/46;H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚伦律师事务所 11477 | 代理人： | 张俊国 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在干式蚀刻工序中，利用晶片等的基板来制造半导体组件的半导体制造用部件及其制造方法，本发明的包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件包括：母材，包含碳；第一蒸镀层，形成于上述母材：第二蒸镀层，形成于上述第一蒸镀层；以及第三蒸镀层，以覆盖上述第一蒸镀层和上述第二蒸镀层之间的边界线的至少一部分的方式形成于上述第二蒸镀层。 | ||
| 搜索关键词： | 覆盖层 边界线 沉积 半导体 制造 部件 | ||
【主权项】：
1.一种包括覆盖层间边界的蒸镀层的半导体制造用部件，其中，包括：第一蒸镀层；第二蒸镀层，形成于所述第一蒸镀层上；以及第三蒸镀层，以覆盖所述第一蒸镀层与所述第二蒸镀层之间的边界线的至少一部分的方式形成于所述第二蒸镀层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩国东海碳素株式会社，未经韩国东海碳素株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780076242.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
