[发明专利]镧系元素前体以及使用其沉积含镧系元素的膜

摘要

形成含镧系元素的膜的组合物，这些组合物包含具有以下通式的镧系元素前体：L‑Ln‑C₅R₄‑[(ER₂)_m‑(ER₂)_n‑L’]‑，L‑Ln‑C₄AR₃‑3‑[(ER₂)_m‑(ER₂)_n‑L’]‑，L‑Ln‑C₃(m‑A₂)R₂‑4‑[(ER₂)_m‑(ER₂)_n‑L’]‑，其中Ln是镧系元素；A独立地是N、Si、B、P或O；每个E独立地是C、Si、B或P；m和n独立地是0、1或2；m+n>1；每个R独立地是H或C₁‑C₄烃基；L是选自下组的‑1阴离子配体，该组由以下各项组成：NR’₂、OR’、Cp、脒基、β‑二酮、或酮亚胺，其中R’是H或C₁‑C₄烃基；并且L’是NR″或O，其中R″是H或C₁‑C₄烃基。还披露了合成以及使用所披露的前体经由气相沉积过程在一种或多种基材上沉积含镧系元素的膜的方法。

主权项

1.一种组合物，该组合物包含具有以下通式的镧系元素前体：L‑Ln‑C₅R₄‑[(ER₂)_m‑(ER₂)_n‑L′]‑，L‑Ln‑C₄AR₃‑3‑[(ER₂)_m‑(ER₂)_n‑L′]‑，L‑Ln‑C₃(m‑A₂)R₂‑4‑[(ER₂)_m‑(ER₂)_n‑L′]‑，分别指的是以下结构式：其中，Ln以η⁵键合模式键合至芳香族基团、选自由以下各项组成的镧系元素：La、Y、Sc、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu；A独立地是N、Si、B、P或O；每个E独立地是C、Si、B或P；m和n独立地是0、1或2；m+n>1；每个R独立地是H或C₁‑C₄烃基；每个L独立地是‑1阴离子配体；并且每个L′独立地是NR″或O，其中R″是H或C₁‑C₄烃基。