[发明专利]无空隙间隙填充的电化学沉积方法有效
| 申请号： | 201780076545.2 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN110073485B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 塞尔达·阿克苏;李政古;鲍尔特·萨克里;罗伊·夏维夫 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种在具有至少一个次30纳米特征结构的工件上电镀的方法。此方法包括：施加第一电解质化学品至此工件，第一电解质化学品包括金属阳离子溶质物质及抑制剂，金属阳离子溶质物质具有在约50mM至约250mM的范围内的浓度，抑制剂造成大于0.75伏(V)的极化且在大于0.25伏/秒(V/s)的速度时达到0.75V的极化；以及施加电气波形，其中此电气波形包括电流缓升的期间(period of ramping up of current)及电流部分缓降的期间(period of partial ramping down of current)，其中电流部分缓降的期间在电流缓升的期间之后。 | ||
| 搜索关键词： | 空隙 间隙 填充 电化学 沉积 方法 | ||
【主权项】：
要求保护专有的属性或特权的本公开的实施方式限定如下：1.要求保护专有的属性或特权的本公开的实施方式限定如下：一种在具有至少一个次30纳米特征结构的工件上电镀的方法，所述方法包括：(a)施加第一电解质化学品至所述工件，所述第一电解质化学品包括金属阳离子溶质物质及抑制剂，所述金属阳离子溶质物质具有在约50mM至约250mM的范围内的浓度，所述抑制剂造成大于0.75伏(V)的极化且在大于0.25伏/秒(V/s)的速度时达到0.75V的极化；以及(b)施加电气波形，其中所述电气波形包括电流缓升的期间及电流部分缓降的期间，其中所述电流部分缓降的期间在所述电流缓升的期间之后。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780076545.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：升降销及真空处理装置
- 下一篇：显示基板及其制作方法、显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
