[发明专利]锆前体、铪前体、钛前体及使用其沉积含第4族的膜

摘要

披露了形成含第4族过渡金属的膜的组合物。这些形成含第4族过渡金属的膜的组合物包含具有式L2‑M‑(R)C5R3‑[(ER2)2‑NR]‑的第4族过渡金属前体，其中M为以η5键合模式键合至Cp基团的Ti、Zr或Hf；每个E独立地为C、Si、B或P；每个R独立地为氢或C1‑C4烃基；且每个L独立地为选自由以下组成的组的‑1阴离子配体：NR’2、OR’、Cp、脒基、β‑二酮或酮亚胺，其中R’为H或C1‑C4烃基且相邻R’可接合以形成烃基环；其前提为该Cp上的至少一个R为C1至C4。还披露了合成和使用所披露的前体以经由气相沉积过程在一个或多个基材上沉积含第4族过渡金属的膜的方法。

主权项

1.一种形成含第4族过渡金属的膜的组合物，该组合物包含具有式L₂‑M‑C₅R₄‑[(ER₂)₂‑NR]‑的第4族过渡金属前体，参考以下结构式：其中M为以η⁵键合模式键合至Cp基团的Ti、Zr或Hf；每个E独立地为C、Si、B或P；每个R独立地为氢或C₁‑C₄烃基；且每个L独立地为‑1阴离子配体；其前提为该Cp上的至少一个R为C₁至C₄。