[发明专利]在相关电子材料器件中形成成核层在审
| 申请号： | 201780076883.6 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN110073506A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 金柏莉·盖伊·里德;卢西恩·斯弗恩 | 申请（专利权）人： | ARM有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 林强 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本技术一般涉及结合制造相关电子材料形成成核层，该相关电子材料例如用于执行开关功能。在实施例中，描述了使用气态形式的金属前驱物将过渡金属例如沉积在包括贵金属的导电衬底上的过程。导电衬底可以暴露于还原剂，还原剂可以操作用于将金属前驱物的配体转化为气态形式。沉积在贵金属上的前驱物的剩余金属部分可允许在导电衬底之上生长CEM膜。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 衬底 金属前驱物 贵金属 电子材料 气态形式 成核层 还原剂 沉积 电子材料器件 过渡金属 开关功能 剩余金属 前驱物 配体 生长 暴露 转化 制造 | ||
【主权项】：
1.一种相关电子材料(CEM)器件，包括：导电衬底，该导电衬底包括具有原子浓度的如下项：贵金属、两种或更多种贵金属的合金、或由足以引起所述衬底的主要导电性能的至少一种贵金属的氧化物形成的材料；以及第一成核层，该第一成核层形成在所述导电衬底的表面上，以允许在所述导电衬底之上沉积一层或多层CEM膜。
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