[发明专利]具有低栅极通路电感的功率半导体模块在审
| 申请号： | 201780077664.X | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN110050339A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | D.科泰特;F.特劳布;J.舒德雷尔;A.阿佩尔斯迈尔;J.阿萨姆 | 申请（专利权）人： | ABB瑞士股份有限公司;奥迪股份公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L25/07 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨忠;金飞 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 一种功率半导体模块(10)包括：壳体(60)；壳体(60)内的功率半导体芯片(14)；从壳体(60)突出且与半导体芯片(14)的功率电极(18)相互电连接的功率端子(24)；和从壳体(60)突出且与栅电极(16)和一个功率电极(18)相互电连接的辅助端子(46)；其中三个辅助端子(46a,46b)以同轴辅助端子组件(52)布置，同轴辅助端子组件(52)包括内辅助端子(46a)和布置在内辅助端子(46a)的相反侧部上的两个外辅助端子(46b)。内辅助端子(46a)与栅电极(16)或一个功率电极(18)相互电连接，且两个外辅助端子(46b)与栅电极(16)和一个功率电极(18)中的另一个电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 辅助端子 功率电极 电连接 壳体 栅电极 功率半导体模块 同轴 功率半导体芯片 半导体芯片 电感 功率端子 相反侧部 栅极通路 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体模块(10)，其包括：壳体(60)；在所述壳体(60)内的至少两个功率半导体芯片(14)；功率端子(24)，其从所述壳体(60)突出，且与所述半导体芯片(14)的功率电极(18)相互电连接；辅助端子(46)，其从所述壳体(60)突出，且与所述半导体芯片(14)的栅电极(16)和所述半导体芯片(14)的功率电极(18)相互电连接；至少两个同轴端子组件(52)，各同轴端子组件(52)包括内辅助端子(46a)和两个外辅助端子(46b)，所述两个外辅助端子(46b)布置在所述内辅助端子(46a)的相反的侧部上；其中，所述内辅助端子(46a)与所述功率半导体芯片(14)中的一个的所述栅电极(16)或所述功率电极(18)中的一个功率电极相互电连接，且所述两个外辅助端子(46b)与所述栅电极(16)和所述功率电极(18)中的所述一个功率电极中的另一个电连接。
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