[发明专利]硅异质结太阳能电池以及制造方法

摘要

本发明涉及一种异质结太阳能电池以及制造方法，异质结太阳能电池包括第一电极层、具有第二电极层、光吸收硅层和钝化导电叠层，钝化导电叠层设置在光吸收硅层与第一电极层和第二电极层中的至少一方之间，钝化导电叠层包括至少一个掺杂硅基层和电子带隙大于1.4eV的宽带隙材料层，在光吸收硅层与掺杂硅基层之间的表面上施敷宽带隙材料层，以形成耐热异质结，耐热异质结被设置成在600℃以上的热处理之后至少保持钝化和导电特性，钝化导电叠层与光吸收硅层之间的界面具有非常陡峭的掺杂分布，光吸收硅层中的掺杂物的强度在离界面小于5nm的距离内衰减至少一个数量级，钝化导电叠层和热处理被配置成防止掺杂物从钝化导电叠层扩散到光吸收硅层。

主权项

1.一种异质结太阳能电池，所述异质结太阳能电池包括第一电极层、具有金属接触层(300)的第二电极层、光吸收硅层(1)和钝化导电叠层(PC)，所述钝化导电叠层(PC)设置在所述光吸收硅层(1)与所述第一电极层和所述第二电极层中的至少一方之间，其特征在于，所述钝化导电叠层包括至少一个掺杂硅基层(6)和电子带隙大于1.4eV的宽带隙材料层(10)，在所述光吸收硅层(1)的、所述光吸收硅层与所述掺杂硅基层(6)之间的表面上施敷所述宽带隙材料层，以形成耐热异质结，所述耐热异质结被设置成在600℃以上的热处理之后至少保持钝化和导电特性。