[发明专利]具有增强的机械稳定性半导体基座的三维存储器器件及其制造方法

摘要

本发明公开了在形成绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠之后，可以穿过所述交替堆叠来形成存储器开口，所述存储器开口随后被填充有柱状半导体基座部分和存储器堆叠结构。通过在移除所述牺牲材料层以形成背侧凹陷部之后选择性地沉积半导体材料，可以通过生长横向突出半导体部分来避免所述柱状半导体基座部分在机械应力下的破损。所述横向突出半导体部分的至少外部部分可以被氧化以形成管状半导体氧化物间隔物。可以在所述背侧凹陷部中形成导电层以便为三维存储器器件提供字线。

主权项

1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，所述绝缘层和导电层的交替堆叠定位在衬底上方；存储器开口，所述存储器开口延伸穿过所述交替堆叠，其中所述存储器开口的侧壁包括所述绝缘层的侧壁；存储器堆叠结构，所述存储器堆叠结构位于所述存储器开口内并且包括与所述存储器开口的所述侧壁接触的存储器膜以及与所述存储器膜的内侧壁接触的竖直半导体沟道；和半导体基座，所述半导体基座位于所述存储器堆叠结构下方并位于所述导电层中的最低水平，其中所述半导体基座包括具有外侧壁的横向突出半导体部分，所述外侧壁从延伸穿过所述存储器堆叠结构的几何中心的竖直轴线向外定位，其程度超过所述存储器堆叠结构的最外侧壁从所述竖直轴线向外定位。