[发明专利]通过化学气相沉积的保形密封膜沉积在审
| 申请号： | 201780079140.4 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN110114853A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | P·曼纳;程睿;A·B·玛里克;江施施 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨学春;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于形成保形的密封氮化硅膜的方法。所述方法包括：用聚硅烷气体使用热化学气相沉积以在基板上产生超保形非晶硅膜，随后用氨或氮等离子体处理所述膜以将所述非晶硅膜转化成保形的密封氮化硅。在一些实施方式中，所述非晶硅沉积和所述等离子体处理在相同的处理腔室中执行。在一些实施方式中，重复所述非晶硅沉积和所述等离子体处理直到达到所希望的氮化硅膜厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 保形 沉积 等离子体处理 氮化硅膜 非晶硅膜 非晶硅 密封 氮等离子体处理 热化学气相沉积 化学气相沉积 处理腔室 气体使用 氮化硅 聚硅烷 密封膜 基板 重复 转化 | ||
【主权项】：
1.一种形成膜层的方法，所述方法包括：在基板处理腔室内将基板加热到基板温度；使硅前驱物气体流动到所述基板处理腔室中；在所述基板上沉积非晶硅层；使氮前驱物气体流动到所述基板处理腔室中；用所述氮前驱物气体在所述基板处理腔室内形成等离子体；和使沉积的非晶硅层暴露于所述等离子体以将所述沉积的非晶硅层的至少一部分转化为氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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