[发明专利]半导体衬底的背面电极的电极结构及其制造方法、以及供于该电极结构的制造的溅射靶在审
| 申请号： | 201780079188.5 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN110100305A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 水野阳平;加藤哲也;石仓千春 | 申请（专利权）人： | 田中贵金属工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 满凤;金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及形成于半导体衬底的背面侧的具有以Ti层/Ni层/Ag合金层的顺序层叠有各金属层的多层结构的背面电极的电极结构。一种背面电极的电极结构，其中，上述Ag合金层由Ag与选自Sn、Sb、Pd中的任意一种添加金属M的合金构成，在利用X射线光电子能谱分析装置对上述背面电极从上述Ag合金层至上述Ni层在深度方向上进行元素分析时，呈现出在Ni层与Ag合金层的边界处能够观察到能够检测出来自Ni、Ag、添加元素M的所有金属的谱图的中间区域的状态，进而，基于来自Ni、Ag、添加元素M的所有金属的谱图来换算上述中间区域中的各金属的含量时，添加元素M的含量的最大值为5原子％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 背面电极 电极结构 合金层 添加元素 金属 中间区域 衬底 半导体 多层结构 元素分析 边界处 溅射靶 金属层 换算 合金 制造 背面 检测 观察 | ||
【主权项】：
1.一种背面电极的电极结构，其是形成于半导体衬底的背面侧、具有从所述半导体衬底起以Ti层/Ni层/Ag合金层的顺序层叠有各金属层的多层结构的背面电极的电极结构，其中，所述Ag合金层由Ag与选自Sn、Sb、Pd中的任意一种添加金属M的合金构成，在利用X射线光电子能谱分析装置对所述背面电极从所述Ag合金层至所述Ni层在深度方向上进行元素分析时，呈现出在Ni层与Ag合金层的边界处能够观察到能够检测出来自Ni、Ag、添加元素M的所有金属的谱图的中间区域的状态，进而，基于来自Ni、Ag、添加元素M的所有金属的谱图来换算所述中间区域中的各金属的含量(原子％)时，添加元素M的含量的最大值为5原子％以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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