[发明专利]硅晶片的抛光方法及硅晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201780079260.4 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN110291618B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 森田刚史 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B1/00;B24B9/00;B24B37/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 殷超;谭祐祥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制台阶差状微小缺陷的产生的硅晶片的抛光方法及硅晶片的制造方法。硅晶片的抛光方法具备：双面抛光工序，对硅晶片的正面及背面进行抛光处理；缺口部抛光工序，在双面抛光工序之后，对硅晶片的缺口部的倒角部实施抛光处理；外周倒角部抛光工序，在缺口部抛光工序之后，对缺口部的倒角部以外的硅晶片的外周倒角部实施抛光处理；及精抛工序，在外周倒角部抛光工序之后，对硅晶片的正面实施精抛处理，所述硅晶片的抛光方法的特征在于，缺口部抛光工序在正面处于水润湿状态下进行。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 抛光 方法 制造 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶片的抛光方法，其具备：双面抛光工序，对硅晶片的正面及背面进行抛光；缺口部抛光工序，在所述双面抛光工序之后，对所述硅晶片的缺口部的倒角部实施抛光处理；外周倒角部抛光工序，在所述缺口部抛光工序之后，对所述缺口部的倒角部以外的所述硅晶片的外周倒角部实施抛光处理；及精抛工序，在所述外周倒角部抛光工序之后，对所述硅晶片的正面实施精抛处理，所述硅晶片的抛光方法的特征在于，所述缺口部抛光工序在所述正面处于水润湿状态下进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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