[发明专利]超导磁体中的淬火保护有效
| 申请号： | 201780079770.1 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN110494925B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 保罗·努南;罗伯特·斯莱德 | 申请（专利权）人： | 托卡马克能量有限公司 |
| 主分类号： | G21B1/05 | 分类号： | G21B1/05;G21B1/21;H01F6/02;H01F6/06;H01B12/00;H02H7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 毕杨 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种环形场线圈，包括中心柱、多个返回分支、淬火保护系统和冷却系统。中心柱包含高温超导材料。每个返回分支包括可淬火区段、两个高温超导区段和淬火系统。可淬火区段包括超导材料，并且被配置为增大环形场线圈的磁场。高温超导区段包含高温超导材料。高温超导区段将可淬火区段电连接到中心柱，并与中心柱和可淬火区段串联。淬火系统与可淬火区段相关联并且配置成对可淬火区段淬火。淬火保护系统配置成检测环形场线圈中的淬火，并且响应于对淬火的检测，使淬火系统对一个或多个可淬火区段中的超导材料淬火，以便将能量从环形场线圈中转储到一个或多个可淬火区段中。冷却系统配置成将每个可淬火区段冷却到超导材料具有超导性能的温度。每个可淬火区段具有热容量和电阻率，所述热容量足以使当能量从环形场线圈转储到可淬火区段时，可淬火区段的温度保持低于第一预定温度，并且所述电阻率足以引起磁体的电流足够快地衰减，使得高温超导区段的淬火部分的温度保持低于第二预定温度。 | ||
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【主权项】：
1.一种环形场线圈，所述环形场线圈包括中心柱和多个返回分支，所述中心柱包括高温超导材料，每个返回分支包括：/n包括超导材料的可淬火区段，所述可淬火区段被配置成增大环形场线圈的磁场；/n两个高温超导区段，所述两个高温超导区段包括高温超导材料，其中高温超导区段将可淬火区段电连接到中心柱，并与中心柱和可淬火区段串联；和/n淬火系统，所述淬火系统与可淬火区段相关联并被配置成对可淬火区段淬火；/n环形场线圈还包括：/n淬火保护系统，所述淬火保护系统配置成检测环形场线圈中的淬火，并且响应于对淬火的检测，使淬火系统对一个或多个可淬火区段中的超导材料淬火，以便将能量从环形场线圈中转储到一个或多个可淬火区段中；/n冷却系统，所述冷却系统配置成将每个可淬火区段冷却到超导材料具有超导性能的温度；/n其中，每个可淬火区段具有热容量和电阻率，所述热容量足以使当能量从环形场线圈转储到可淬火区段时，可淬火区段的温度保持低于第一预定温度，并且所述电阻率足以引起磁体的电流足够快地衰减，使得高温超导区段的淬火部分的温度保持低于第二预定温度。/n
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