[发明专利]具有直接合并像素的整合式光电侦测器在审
申请号: | 201780080076.1 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN110168732A | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 乔纳森·M·罗斯伯格;基斯·G·法夫;D·布瓦韦尔 | 申请(专利权)人: | 宽腾矽公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;G01N21/64 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 石海霞;金鹏 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明揭示一种具有直接合并像素的整合式光电侦测器,其包含被配置为接收入射光子的一光电侦测区域。该光电侦测区域被配置为响应于入射光子而产生复数个电荷载子。该集成电路包含至少一电荷载子储存区域。该集成电路亦包含一电荷载子分离结构,其被配置为基于产生电荷载子的时间而选择性地将该复数个电荷载子的电荷载子直接引导至该至少一电荷载子储存区域中。 | ||
搜索关键词: | 电荷载子 光电侦测器 储存区域 侦测区域 整合式 光子 复数 像素 集成电路 配置 分离结构 合并 入射 响应 收入 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路,其包括:一光电探测区域,其被配置为接收入射光子,该光电探测区域被配置为响应于入射光子而产生多个电荷载流子;至少一电荷载流子储存区域;及一电荷载流子分离结构,其被配置为基于产生电荷载流子的时间而选择性地将该多个电荷载流子中的电荷载流子直接引导至该至少一电荷载流子储存区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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