[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201780080128.5 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN110114888B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 松岛芳宏;曾田茂稔;安田英司;今井俊和;大河亮介;吉田一磨;加藤亮 | 申请（专利权）人： | 新唐科技日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/76 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 安香子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置(1)具备：N型的半导体基板(32)，由硅构成；N型的低浓度杂质层(33)，与半导体基板(32)的上表面接触；金属层(31)，与半导体基板(32)的下表面整面接触，厚度为20μm以上；以及晶体管(10及20)，形成在低浓度杂质层内；半导体基板(32)作为晶体管(10及20)的漏极区域发挥功能；将在晶体管(10及20)的源极电极之间经由晶体管(10)侧的半导体基板(32)、金属层(31)、晶体管(20)侧的半导体基板(32)流动的双向路径作为主电流路径；金属层(31)的厚度相对于包括半导体基板(32)和低浓度杂质层(33)的半导体层的厚度的比例大于0.27；半导体装置(1)还在金属层(31)的下表面整面具有仅经由粘接层(39)粘接的由陶瓷材料构成的支承体(30)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其是能够进行倒装安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其中，具备：半导体基板，由硅构成，包含第1导电型的杂质；低浓度杂质层，与上述半导体基板的上表面接触而形成，包含浓度比上述半导体基板的上述第1导电型的杂质的浓度低的上述第1导电型的杂质；金属层，与上述半导体基板的下表面整面接触而形成，仅由厚度为20μm以上的金属材料构成；第1纵型MOS晶体管，形成在上述低浓度杂质层内的第1区域中；以及第2纵型MOS晶体管，形成在上述低浓度杂质层内的第2区域中，该第2区域在沿着上述半导体基板的上表面的方向上与上述第1区域相邻；上述第1纵型MOS晶体管具有在上述低浓度杂质层的上表面形成的第1源极电极及第1栅极电极；上述第2纵型MOS晶体管具有在上述低浓度杂质层的上表面形成的第2源极电极及第2栅极电极；上述半导体基板作为将上述第1纵型MOS晶体管的第1漏极区域及上述第2纵型MOS晶体管的第2漏极区域共通化的漏极区域发挥功能；将在上述第1源极电极与上述第2源极电极之间经由上述第1漏极区域、上述金属层及上述第2漏极区域流动的双向路径作为主电流路径；上述金属层的厚度相对于包括上述半导体基板和上述低浓度杂质层的半导体层的厚度的比例大于0.27；上述半导体装置还具有由陶瓷材料构成的支承体，该支承体仅经由粘接层粘接在上述金属层的下表面整面。
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