[发明专利]半导体衬底及电子器件在审
| 申请号： | 201780080522.9 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN110114862A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 山本大贵;长田刚规 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/31;H01L21/318;H01L21/336;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;唐峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体衬底，其具有衬底、由第III族氮化物的单一或多个结晶层形成的氮化物结晶层、和盖帽层，前述衬底、前述氮化物结晶层及前述盖帽层按照前述衬底、前述氮化物结晶层、前述盖帽层的位置顺序设置，前述盖帽层为具有结晶性的氮化硅层，并且具有5nm以上的厚度。另外，提供半导体衬底，其中，前述氮化物结晶层的与前述盖帽层接触的层及其附近的层作为场效应晶体管的活性层发挥功能，前述盖帽层为具有结晶性的氮化硅层，并且具有将前述场效应晶体管的栅极包埋的厚度以上的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 盖帽层 衬底 氮化物结晶 半导体 场效应晶体管 氮化硅层 结晶性 第III族氮化物 电子器件 顺序设置 活性层 结晶层 包埋 | ||
【主权项】：
1.半导体衬底，其具有衬底、由第III族氮化物的单一或多个结晶层形成的氮化物结晶层、和盖帽层，所述衬底、所述氮化物结晶层及所述盖帽层按照所述衬底、所述氮化物结晶层、所述盖帽层的位置顺序设置，所述盖帽层为具有结晶性的氮化硅层，并且具有5nm以上的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友化学株式会社，未经住友化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780080522.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
