[发明专利]光子集成电路的电隔离有效
| 申请号： | 201780080575.0 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN110114942B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | N·D·威特布莱德;S·琼斯 | 申请（专利权）人： | 朗美通技术英国有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/023 | 分类号： | H01S5/023;G02B6/42;G02B6/43;G02B6/12;H01L21/76;H01L21/761;H01S5/026 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰滨;王晓晓 |
| 地址： | 英国北*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在用于光子集成器件的波导结构中的子部分之间提供电隔离的方法，该结构包括衬底、缓冲层和核心层，所述缓冲层位于衬底和核心层之间并且包括第一类型的掺杂剂，所述第一类型是n型或p型，该方法包括在将任何层添加到与缓冲层相对的核心层的一侧之前的步骤：选择至少一个区域作为电隔离区域，将电介质掩模应用于与缓冲层相对的核心层表面，所述掩模中的窗口暴露对应于所选电隔离区域的表面区域，实现第二类型的掺杂剂的扩散，所述第二类型具有与第一类型相反的极性，并且允许第二类型的掺杂剂渗透到衬底以形成阻挡结。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 集成电路 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种在用于光子集成器件的波导结构中的子部分之间提供电隔离的方法，所述结构包括衬底、所述衬底上的缓冲层和所述缓冲层上的核心层，所述缓冲层包括第一类型的掺杂剂，所述第一类型为n型或p型，在所述核心层上方添加任何层之前，所述方法包括：将第二类型的掺杂剂扩散(402)到所述结构中，所述第二类型与所述第一类型的极性相反；和允许(404)所述掺杂剂穿透所述缓冲层到达所述衬底以形成阻挡结。
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