[发明专利]拓扑优化的高界面填充结构有效
| 申请号： | 201780080599.6 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN110114210B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 克里斯蒂娜·A·罗玛瑟尼 | 申请（专利权）人： | 莫杜美拓有限公司 |
| 主分类号： | B32B5/18 | 分类号： | B32B5/18;B32B15/04;B32B3/12;B32B3/20;C23C28/00 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;黄谦 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了包括空隙体积至少为40％的层压材料的制品，所述层压材料具有晶格结构，所述晶格结构包括多个相互连接的支柱，所述支柱形成向三个维度或两者个维度延伸的一系列多面体，其中层压材料具有至少2.0界面/微米(μm)的界面密度。本公开还描述了形成所述制品的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 拓扑 优化 界面 填充 结构 | ||
【主权项】：
1.制品，包括：具有至少40％空隙体积的层压材料，所述层压材料的界面密度为至少2.0界面/微米(μm)。
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