[发明专利]减少掩模操作次数的RRAM工艺整合方案及单元结构有效
| 申请号： | 201780080601.X | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110140172B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 吕志超;布伦特·史蒂文·豪克内斯 | 申请（专利权）人： | 合肥睿科微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C7/12;G11C13/00;H10B63/00;H10N70/00;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 公开一种阻变随机存取存储器(RRAM)。该RRAM包括由钨构成的底电极以及设于该底电极上方的由氧化铪构成的转变层，其中，该转变层包括可转变细丝。所述RRAM还包括设于所述转变层上方的电阻层以及设于该电阻层上方的位线，其中，该电阻层横向延伸，从而沿所述位线连接两个或更多个存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 操作 次数 rram 工艺 整合 方案 单元 结构 | ||
【主权项】：
1.一种阻变随机存取存储器(RRAM)，其特征在于，包括：由钨构成的一个或多个底电极；一个或多个转变层，由设于所述底电极上方的氧化铪构成，所述转变层包括可转变细丝；设于所述转变层上方的一个或多个电阻层；以及设于所述电阻层上方的一条或多条位线，其中，所述电阻层横向延伸，从而沿所述位线连接两个或更多个RRAM单元。
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