[发明专利]用于高阶模式抑制的方法、系统和设备有效
| 申请号： | 201780080733.2 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN110114945B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | M·坎斯卡;陈之纲 | 申请（专利权）人： | 恩耐公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/10;H01S5/042;H01S5/028 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种激光二极管垂直外延结构，包括：横向波导，所述横向波导包括在n型半导体层和p型半导体层之间的有源层，其中所述横向波导由在横向波导的n侧上的低折射率n包覆层和在横向波导的p侧上的低折射率p包覆层界定；侧向波导，所述侧向波导正交于所述横向波导，其中，所述侧向波导在纵向上在第一端由涂覆有高反射器(HR)涂层的腔面界定并且在第二端由涂覆有部分反射器(PR)涂层的腔面界定；以及高阶模式抑制层(HOMSL)，所述高阶模式抑制层被设置为邻近侧向波导的至少一个侧边并且所述高阶模式抑制层在纵向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 模式 抑制 方法 系统 设备 | ||
【主权项】：
1.一种激光二极管垂直外延结构，包括：横向波导，所述横向波导包括在n型半导体层和p型半导体层之间的有源层，其中，所述横向波导由在所述横向波导的n侧上的低折射率n包覆层和在所述横向波导的p侧上的低折射率p包覆层界定；侧向波导，所述侧向波导正交于所述横向波导，其中，所述侧向波导在纵向上在第一端由涂覆有高反射器(HR)涂层的腔面界定并且在第二端由涂覆有部分反射器(PR)涂层的腔面界定；以及高阶模式抑制层(HOMSL)，所述高阶模式抑制层被设置为邻近所述侧向波导的至少一个侧边并且所述高阶模式抑制层在纵向上延伸。
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