[发明专利]处理硅晶片以具有内部去疵与栅极氧化物完整性良率的方法

摘要

本公开涉及一种在包含含氮气体，如NH3或N2的环境气氛中进行快速热退火之后恢复硅晶片的栅极氧化物完整性良率的方法。通常，在包含含氮气体，如NH3或N2的环境气氛中进行快速热退火以借此为氧沉淀物分布加特征可通过暴露生长态晶体缺陷(氧沉淀物)和由氮化硅膜产生的空位来降低硅晶片的GOI良率。本发明通过剥离氮化硅层；之后进行晶片氧化；之后剥离氧化硅层来恢复GOI良率。

主权项

1.一种处理单晶硅晶片的方法，所述方法包含：/n在至少约1100℃的温度下在包含含氮气体的第一环境气氛中热处理所述单晶硅晶片以增加所述单晶硅晶片的主体区域中的晶格空位的密度，并且在所述单晶硅晶片的正面上形成氮化硅层，其中所述单晶硅晶片包含两个主要平行表面，其中一个为所述正面并且另一个为背面，所述正面与所述背面之间的中心平面、连接所述正面与所述背面的圆周边缘、具有从所述正面朝向所述中心平面测量的深度D的正面层，并且其中所述主体区域处于所述正面层与所述中心平面之间；/n从所述单晶硅晶片的所述正面去除所述氮化硅层；/n在包含氧气的第二环境气氛中且在约900℃与约1100℃之间的温度下热处理所述单晶硅晶片大于30分钟的持续时间，以在所述单晶硅晶片的正面上形成最小厚度为至少约50埃的氧化硅层；并且/n从所述单晶硅晶片的所述正面去除所述氧化硅层。/n