[发明专利]基于纳米颗粒的电阻式存储器设备及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201780082029.0 申请日: 2017-11-16
公开(公告)号: CN110140227B 公开(公告)日: 2023-07-21
发明(设计)人: R·卢兹;J·里尔;M·D·阿波达卡;D·斯图尔特;万雷;B·特里斯 申请(专利权)人: 闪迪技术有限公司
主分类号: H10N70/20 分类号: H10N70/20;H10B63/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 孙尚白
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 含有纳米颗粒的电阻式存储器单元形成在两个电极之间。所述纳米颗粒可包埋在基体中,或在没有基体的情况下烧结在一起。所述存储器单元可为投射式存储器单元或屏障调制单元。聚合物配体可用于在衬底之上沉积所述纳米颗粒,然后任选的去除或替换所述聚合物配体。
搜索关键词: 基于 纳米 颗粒 电阻 存储器 设备 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种制造存储器单元的方法,包括:形成第一电极;提供聚合物接枝的存储器材料纳米颗粒,其形成由聚合物配体制成的包埋所述存储器材料纳米颗粒的聚合物基体;以及形成第二电极。
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