[发明专利]使用互补对的电流注入场效应晶体管装置的低噪声传感器放大器和跨阻抗放大器在审
| 申请号： | 201780082331.6 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN110168929A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | S·M·朔贝尔;R·C·朔贝尔;T·R·哈德里克 | 申请（专利权）人： | 电路种子有限责任公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及使用互补对的电流注入场效应晶体管(iFET)装置(CiFET)的低噪声传感器放大器和跨阻抗放大器。CiFET包括N型电流场效应晶体管(NiFET)和P型电流场效应晶体管(PiFET)，所述NiFET和PiFET中的每一个都具有源极、漏极、栅极和扩散(电流注入)端子(iPort)。每个iFET还具有在所述源极和扩散端子之间具有宽度和长度的源极沟道，以及在所述漏极和所述扩散端子之间具有宽度和长度的漏极沟道。通过所述iFET的源极沟道的宽度/长度与漏极沟道的宽度/长度的比率和电源电压来调节所述CiFET装置的跨阻抗。在一种配置中，所述NiFET和PiFET的所述栅极端子连接在一起以形成公共栅极。在另一种配置中，所述公共栅极被配置为用于高输入阻抗模式的电压输入端。输出电压在共模电压周围发生摆动。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 漏极 源极 场效应晶体管 传感器放大器 跨阻抗放大器 效应晶体管 公共栅极 低噪声 扩散 配置 电压输入端 高输入阻抗 电源电压 共模电压 输出电压 栅极端子 摆动 阻抗 | ||
【主权项】：
1.一种设备，其包含：a.互补对的N型电流场效应晶体管(NiFET)和P型电流场效应晶体管(PiFET)，NiFET和PiFET中的每一个包含所述PiFET和所述NiFET中的所述每一个的相应导电类型的源极端子、漏极端子、栅极端子以及扩散端子，其限定在所述源极端子和所述扩散端子之间具有宽度和长度的源极沟道，以及在所述漏极端子和所述扩散端子之间具有宽度和长度的漏极沟道，所述扩散端子引起在整个所述源极和漏极沟道中所述扩散电荷密度的变化，并且所述栅极端子电容耦合到所述源极沟道和所述漏极沟道；b.所述PiFET的所述栅极端子和所述NiFET的所述栅极端子连接在一起以形成用于参考共模电压的公共栅极端子，并且所述NiFET和所述PiFET的所述漏极端子连接在一起以形成输出端；和c.所述NiFET或PiFET中的一个的所述扩散端子和所述源极端子与具有源阻抗的信号源串联连接；其中所述NiFET和所述PiFET中的所述一个的所述源极沟道具有用于与所述源阻抗匹配的输入阻抗，所述输入阻抗通过所述PiFET和所述NiFET中的所述一个的所述源极沟道的所述宽度比所述长度与所述漏极沟道的所述宽度比所述长度的比率来调节。
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