[发明专利]集成存储器、集成组合件及形成存储器阵列的方法

摘要

一些实施例包含具有电容器阵列的集成存储器。所述阵列具有边缘。沿所述边缘的所述电容器是边缘电容器，且所述其它电容器是内部电容器。所述边缘电容器具有面向所述内部电容器的内边缘，且具有与所述内边缘成对置关系的外边缘。绝缘梁横向延伸在所述电容器之间。所述绝缘梁沿所述电容器的上区域。第一空隙区域位于所述绝缘梁下方，沿所述内部电容器的下区域，且沿所述边缘电容器的所述内边缘。所述绝缘梁的外围延伸部从所述边缘电容器向外横向延伸，且第二空隙区域位于所述外围延伸部下方且沿所述边缘电容器的所述外边缘。一些实施例包含具有彼此上下堆叠的两个或更多个存储器阵列组的集成组合件。一些实施例包含形成存储器阵列的方法。

主权项

1.一种集成存储器，其包括：电容器阵列；所述阵列包括边缘且沿所述边缘的所述电容器是边缘电容器；不沿所述边缘的所述电容器是所述阵列的内部电容器；所述边缘电容器具有面向所述内部电容器的内边缘且具有与所述内边缘成对置关系的外边缘；所述电容器具有上区域且具有位于所述上区域下方的下区域；及绝缘梁，其横向延伸在所述电容器之间，所述绝缘梁沿所述电容器的所述上区域；第一空隙区域位于所述绝缘梁下方，沿所述内部电容器的所述下区域，且沿所述边缘电容器的所述内边缘；所述绝缘梁的外围延伸部从至少一些所述边缘电容器向外横向延伸，且第二空隙区域位于所述外围延伸部下方且沿所述至少一些所述边缘电容器的所述外边缘。