[发明专利]无加压接合用铜糊料、接合体及半导体装置在审
| 申请号： | 201780082937.X | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110167695A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 中子伟夫;蔵渕和彦;江尻芳则;石川大;须镰千绘;川名祐贵 | 申请（专利权）人： | 日立化成株式会社 |
| 主分类号： | B22F1/00 | 分类号： | B22F1/00;B22F7/08;H01B1/00;H01B1/02;H01B1/22 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王灵菇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种无加压接合用铜糊料，其是包含金属粒子和分散介质的无加压接合用铜糊料，其中，金属粒子包含体积平均粒径为0.01μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2.0μm以上且50μm以下的微米铜粒子，分散介质包含具有300℃以上的沸点的溶剂，且具有300℃以上的沸点的溶剂的含量以无加压接合用铜糊料的总质量为基准，为2质量％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 糊料 加压 体积平均粒径 分散介质 金属粒子 沸点 溶剂 半导体装置 亚微米铜 接合体 铜粒子 粒子 | ||
【主权项】：
1.一种无加压接合用铜糊料，其是包含金属粒子和分散介质的无加压接合用铜糊料，其中，所述金属粒子包含体积平均粒径为0.01μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2.0μm以上且50μm以下的微米铜粒子，所述分散介质包含具有300℃以上的沸点的溶剂，且所述具有300℃以上的沸点的溶剂的含量以所述无加压接合用铜糊料的总质量为基准，为2质量％以上。
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