[发明专利]存储器单元，具有个别地包括电容器及晶体管的存储器单元且包括多行存取线及多列数字线的阵列，2T-1C存储器单元，及形成具有电容器及上面的存取晶体管的阵列的方法

摘要

一种形成具有电容器及上面的存取晶体管的阵列的方法包括：将存取晶体管沟槽部分地形成到绝缘材料中。所述沟槽个别地包括纵向间隔开的经掩蔽部分及在所述沟槽中纵向地介于所述经掩蔽部分之间的纵向间隔开的开口。所述沟槽开口在其中具有在所述个别沟槽开口中且沿着所述个别沟槽开口抵靠所述沟槽的横向相对侧而纵向延伸的壁。通过所述壁之间及所述经掩蔽部分之间的所述沟槽开口的基底而移除位于所述沟槽开口下方的所述绝缘材料中的至少一些材料，以在低于所述壁的所述绝缘材料中形成个别电容器开口。在所述个别电容器开口中形成个别电容器。在所述个别沟槽中形成一排存取晶体管。所述排存取晶体管电耦合到沿着所述排的所述个别电容器。还揭示其它方面，包含独立于方法的结构。

主权项

1.一种形成具有电容器及上面的存取晶体管的阵列的方法，其包括：将存取晶体管沟槽部分地形成到绝缘材料中，所述沟槽个别地包括纵向间隔开的经掩蔽部分及在所述沟槽中纵向地介于所述经掩蔽部分之间的纵向间隔开的开口，所述沟槽开口在其中具有在所述个别沟槽开口中且沿着所述个别沟槽开口抵靠所述沟槽的横向相对侧而纵向延伸的壁；通过所述壁之间及所述经掩蔽部分之间的所述沟槽开口的基底而移除位于所述沟槽开口下方的所述绝缘材料中的至少一些材料，以在低于所述壁的所述绝缘材料中形成个别电容器开口；在所述个别电容器开口中形成个别电容器；及在所述个别沟槽中形成一排存取晶体管，所述排存取晶体管电耦合到沿着所述排的所述个别电容器。