[发明专利]存储器单元、集成结构及存储器阵列有效
| 申请号： | 201780083448.6 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN110178223B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | C·M·卡尔森;M·J·巴克利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/40;H10B41/50;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B41/27;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一些实施例包含一种存储器单元，其依以下顺序具有控制栅极、电荷阻挡材料、电荷捕获材料、第一氧化物、电荷通路结构、第二氧化物及沟道材料。所述电荷通路结构具有夹置于第一区域与第二区域之间的中心区域。所述中心区域具有低于所述第一及第二区域的捕获电荷机率及/或低于所述第一及第二区域的捕获电荷速率。一些实施例包含一种集成结构，其具有交替的导电层级及绝缘层级的竖直堆叠且具有沿着所述竖直堆叠竖直延伸的电荷通路结构。一些实施例包含一种NAND存储器阵列，其具有交替的绝缘层级及字线层级的竖直堆叠，且具有沿着所述竖直堆叠竖直延伸的电荷通路结构。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 集成 结构 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种存储器单元，其依以下顺序包括：控制栅极；电荷阻挡材料；电荷捕获材料；第一氧化物；电荷通路结构，其具有夹置于第一与第二区域之间的中心区域；所述中心区域具有低于所述第一及第二区域的捕获电荷机率及/或捕获电荷速率；第二氧化物；及沟道材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780083448.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
