[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780084106.6 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN110199396B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 村上刚史 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768;H01L29/12;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在形成栅极接触区域时，抑制单位单元部的被层间绝缘膜覆盖的栅极导电膜露出。在半导体装置的制造方法中，在单位单元部(11)形成与栅极氧化膜接触的栅极导电膜(2a)，在终端区域(12)形成与栅极氧化膜接触的栅极配线(3a)，在终端区域的栅极配线的上表面形成第1绝缘膜(103d)，将第1绝缘膜作为掩模对单位单元部的栅极导电膜的上表面进行热氧化，由此，在栅极导电膜的上表面形成热氧化膜(102d)，形成覆盖第1绝缘膜以及热氧化膜的第2绝缘膜(102b、103b)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其中，在半导体层(25)的上表面形成栅极氧化膜(21)，在单位单元部(11)形成与所述栅极氧化膜(21)接触的栅极导电膜(2a)，在俯视时包围所述单位单元部(11)而设置的终端区域(12)形成与所述栅极氧化膜(21)接触的栅极配线(3a)，在所述终端区域(12)的所述栅极配线(3a)的上表面形成第1绝缘膜(103d)，将所述第1绝缘膜(103d)作为掩模对所述单位单元部(11)的所述栅极导电膜(2a)的上表面进行热氧化，由此，在所述栅极导电膜(2a)的上表面形成热氧化膜(102d)，形成覆盖所述第1绝缘膜(103d)以及所述热氧化膜(102d)的第2绝缘膜(102b、103b)。
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